文章摘要:砷化镓（GaAs）是应用广泛的化合物半导体，由于高脆性的特点，其划切加工一直是晶圆制造的难题。激光辅助水射流技术适用于硬脆材料的微细加工，倾斜放置的水射流去除被激光加热软化的材料，同时起冷却和减少热损伤的作用。对干激光、低压水射流辅助激光和激光辅助水射流技术加工砷化镓晶片微槽进行了对比实验，结果表明，激光辅助水射流技术适合加工砷化镓材料，它能够加工出晶片表面无污染、大深度、小热影响区宽度、大深宽比的高质量微槽，加工表面微观形貌均匀、微裂纹少，优于其它两种加工方式。实验研究了激光辅助水射流加工砷化镓晶片微槽的切割性能，结果表明，加工参数（激光脉冲能量、水射流压力、加工速度、水射流倾斜角度、焦平面位置和加工次数）对微槽深度、微槽宽度和材料去除率具有显著影响。微槽深度、微槽宽度和材料去除率随着激光脉冲能量的增加而增大，随着水射流压力的增加而减小，材料去除率随着加工速度的增加而显著增大。

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论文分类号:TQ133.51